氮化镓（或 GaN）正在为电力工程行业带来变革，它实现了以往硅 MOSFET 从未达到的高速度、高效率和更高功率密度。

GaN 固有的较低栅极和输出电容支持以兆赫兹级的开关频率运行，同时降低栅极和开关损耗，从而提高效率。不同于硅，GaN 不需要体二极管，因而消除了反向恢复损耗，并进一步提高了效率、减少了开关节点振铃和 EMI。

我们的 GaN 系列解决方案集成了高速栅极驱动器、EMI 控制、过热和过流保护，同时具有 100ns 的响应时间。集成式器件使布局得以优化，能够最大限度地减少寄生电感、提高 dv/dt 抗扰性 (CMTI)，并缩小布板空间。   

广泛的产品系列为几乎所有应用提供了易于使用的解决方案，以便于充分利用 GaN 技术的优势。

我们作为半导体技术行业的领导者，在将可靠的半导体产品推向市场方面拥有长期经验。我们的 GaN 器件所采用的 GaN 技术通过了 2,000 万小时的实际应用硬开关器件可靠性加速测试，可在器件和系统级别为工程师提供可靠性。